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APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Solo per riferimento

Numero parte APT10DC120HJ
PNEDA Part # APT10DC120HJ
Descrizione BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.718
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT10DC120HJ Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT10DC120HJ
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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APT10DC120HJ Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaSilicon Carbide Schottky
Tensione - Picco inverso (Max)1.2kV
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.8V @ 10A
Corrente - Perdita inversa @ Vr200µA @ 1200V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Single Phase

Tecnologia

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Tensione - Picco inverso (Max)

1.4kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

125A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 125A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

GBPC2510 T0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

QC Terminal

Pacchetto / Custodia

4-Square, GBPC

Pacchetto dispositivo fornitore

GBPC

G5SBA80-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 3A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

689-1D, 1N, 1P

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tecnologia

-

Tensione - Picco inverso (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

VS-GBPC3508W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-Square, GBPC-W

Pacchetto dispositivo fornitore

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