APT1001R1BN
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| Numero parte | APT1001R1BN |
| PNEDA Part # | APT1001R1BN |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.480 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT1001R1BN Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT1001R1BN |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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APT1001R1BN Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS IV® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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