Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AOT8N80L

AOT8N80L

Solo per riferimento

Numero parte AOT8N80L
PNEDA Part # AOT8N80L
Descrizione MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOT8N80L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOT8N80L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOT8N80L, AOT8N80L Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 367,86 KB)
PDFAOT8N80L_001 Datasheet Copertura
AOT8N80L_001 Datasheet Pagina 2 AOT8N80L_001 Datasheet Pagina 3 AOT8N80L_001 Datasheet Pagina 4 AOT8N80L_001 Datasheet Pagina 5 AOT8N80L_001 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AOT8N80L Datasheet
  • where to find AOT8N80L
  • Alpha & Omega Semiconductor

  • Alpha & Omega Semiconductor AOT8N80L
  • AOT8N80L PDF Datasheet
  • AOT8N80L Stock

  • AOT8N80L Pinout
  • Datasheet AOT8N80L
  • AOT8N80L Supplier

  • Alpha & Omega Semiconductor Distributor
  • AOT8N80L Price
  • AOT8N80L Distributor

AOT8N80L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.63Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1650pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)245W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

STP40NS15

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MESH OVERLAY™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPD26DP06NMSAUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3-313

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RQ6L020SPTCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT6 (SC-95)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

RUC002N05HZGT116

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SST3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PMPB100ENEX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN2020MD-6

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Venduto di recente

1526GLF

1526GLF

IDT, Integrated Device Technology

IC VIDEO CLK SYNTHESIZER 16TSSOP

LPC3250FET296/01,5

LPC3250FET296/01,5

NXP

IC MCU 16/32BIT ROMLESS 296TFBGA

FMG2G400US60

FMG2G400US60

ON Semiconductor

IGBT MOLDING 600V 400A 7PM-IA

NC7SZ32P5X

NC7SZ32P5X

ON Semiconductor

IC GATE OR 1CH 2-INP SC70-5

C5750X7S2A106K230KE

C5750X7S2A106K230KE

TDK

CAP CER 10UF 100V X7S 2220

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64TBGA

APT1608SGC

APT1608SGC

Kingbright

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

ICM7555IPA

ICM7555IPA

Maxim Integrated

IC OSC SINGLE TIMER 500KHZ 8DIP

ST16C2552IJ44TR-F

ST16C2552IJ44TR-F

MaxLinear, Inc.

IC UART FIFO 16B DUAL 44PLCC

BZE6-2RN-S

BZE6-2RN-S

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 125V

USB2512I-AEZG

USB2512I-AEZG

Microchip Technology

IC USB 2.0 2PORT HUB CTLR 36-QFN