AOT11S65L
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| Numero parte | AOT11S65L |
| PNEDA Part # | AOT11S65L |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO220 |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.938 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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AOT11S65L Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AOT11S65L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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AOT11S65L Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | aMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 198W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7180pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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