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AOT11C60L

AOT11C60L

Solo per riferimento

Numero parte AOT11C60L
PNEDA Part # AOT11C60L
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.424
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AOT11C60L Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAOT11C60L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AOT11C60L, AOT11C60L Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 470,47 KB)
PDFAOB11C60 Datasheet Copertura
AOB11C60 Datasheet Pagina 2 AOB11C60 Datasheet Pagina 3 AOB11C60 Datasheet Pagina 4 AOB11C60 Datasheet Pagina 5 AOB11C60 Datasheet Pagina 6

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  • AOT11C60L Distributor

AOT11C60L Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)278W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

820mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

NTLUS3C18PZTBG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

660mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (1.6x1.6)

Pacchetto / Custodia

6-PowerUFDFN

STF18N60M6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

336mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

112pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300mW (Ta), 400mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4965pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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