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AON6934A

AON6934A

Solo per riferimento

Numero parte AON6934A
PNEDA Part # AON6934A
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
Prezzo unitario
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
Disponibile 350
Magazzini USA, Europe, China, Hong Kong SAR
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
Consegna stimata feb 27 - mar 4 (Scegli Spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON6934A Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
Mfr. Numero di parteAON6934A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AON6934A, AON6934A Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 633,15 KB)
PDFAON6934A Datasheet Copertura
AON6934A Datasheet Pagina 2 AON6934A Datasheet Pagina 3 AON6934A Datasheet Pagina 4 AON6934A Datasheet Pagina 5 AON6934A Datasheet Pagina 6 AON6934A Datasheet Pagina 7 AON6934A Datasheet Pagina 8 AON6934A Datasheet Pagina 9 AON6934A Datasheet Pagina 10

AON6934A Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C22A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1037pF @ 15V
Potenza - Max3.6W, 4.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6)

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

369pF @ 10V

Potenza - Max

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

ALD114904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Depletion Mode

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (Max) @ Id

360mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

PMDXB550UNEZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

590mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.05nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30.3pF @ 15V

Potenza - Max

285mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1010B-6

PMGD370XN,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

740mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.65nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

37pF @ 25V

Potenza - Max

410mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

SIZ980DT-T1-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 15V, 4600pF @ 15V

Potenza - Max

20W, 66W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair®

Certificates

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