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AON6440

AON6440

Solo per riferimento

Numero parte AON6440
PNEDA Part # AON6440
Descrizione MOSFET N-CH 40V 5X6 DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON6440 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON6440
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AON6440, AON6440 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 264,39 KB)
PDFAON6440 Datasheet Copertura
AON6440 Datasheet Pagina 2 AON6440 Datasheet Pagina 3 AON6440 Datasheet Pagina 4 AON6440 Datasheet Pagina 5 AON6440 Datasheet Pagina 6 AON6440 Datasheet Pagina 7

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AON6440 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

I prodotti a cui potresti essere interessato

AOD522P

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 46A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 53W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BUK7Y7R6-40EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

79A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

94.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

FQAF7N90

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.55Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2280pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

107W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

TK35A65W5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 2.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SIS

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

STD28P3LLH6AG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±18V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

33W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Venduto di recente

IHLP2525CZERR10M01

IHLP2525CZERR10M01

Vishay Dale

FIXED IND 100NH 32.5A 1.7 MOHM

LPC1768FBD100,551

LPC1768FBD100,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP

MC33883HEGR2

MC33883HEGR2

NXP

IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20SOIC

SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

AD9515BCPZ

AD9515BCPZ

Analog Devices

IC CLK BUFFER 1:2 1.6GHZ 32LFCSP

BLM18PG471SN1D

BLM18PG471SN1D

Murata

FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

B360B-13-F

B360B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

MAX3378EEUD+

MAX3378EEUD+

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 14TSSOP

16SVPF180M

16SVPF180M

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD

HSMS-2862-TR1G

HSMS-2862-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

CK45-R3DD102KAVRA

CK45-R3DD102KAVRA

TDK

CAP CER 1000PF 2KV RADIAL