AOI472A
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| Numero parte | AOI472A |
| PNEDA Part # | AOI472A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 18A TO251A |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.960 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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AOI472A Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AOI472A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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AOI472A Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 46A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1333pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251A |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 95A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2866pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8DC Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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