AO6602L
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| Numero parte | AO6602L |
| PNEDA Part # | AO6602L |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.816 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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AO6602L Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AO6602L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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AO6602L Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.15W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-74, SOT-457 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 10V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A, 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1495pF @ 6V Potenza - Max 2.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 |
Produttore Renesas Electronics America Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 10V Potenza - Max 54W Temperatura di esercizio 175°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 20-HSOP |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET 4 N-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 830mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore 14-DIP |
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