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AO4629

AO4629

Solo per riferimento

Numero parte AO4629
PNEDA Part # AO4629
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 73.056
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4629 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4629
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4629, AO4629 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 849,47 KB)
PDFAO4629 Datasheet Copertura
AO4629 Datasheet Pagina 2 AO4629 Datasheet Pagina 3 AO4629 Datasheet Pagina 4 AO4629 Datasheet Pagina 5 AO4629 Datasheet Pagina 6 AO4629 Datasheet Pagina 7 AO4629 Datasheet Pagina 8 AO4629 Datasheet Pagina 9

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AO4629 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A, 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N Channel (Phase Leg)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

66A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

510nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14600pF @ 25V

Potenza - Max

416W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Potenza - Max

125W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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