ALD110802SCL
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| Numero parte | ALD110802SCL |
| PNEDA Part # | ALD110802SCL |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC |
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.076 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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ALD110802SCL Risorse
| Brand | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ALD110802SCL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ALD110802SCL Specifiche
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD® |
| Tipo FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 10.6V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4.2V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 220mV @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
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