ALD110800SCL
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| Numero parte | ALD110800SCL |
| PNEDA Part # | ALD110800SCL |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC |
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.452 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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ALD110800SCL Risorse
| Brand | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ALD110800SCL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ALD110800SCL Specifiche
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| Tipo FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 10.6V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 20mV @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 25V Potenza - Max 54W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount, Wettable Flank Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.8nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1028pF @ 6V Potenza - Max 1.36W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 65A Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V Potenza - Max 1250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 15V, 807pF @ 15V Potenza - Max 2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (3x3) |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 600nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V Potenza - Max 1250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6 |
