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AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDN

Solo per riferimento

Numero parte AFGB30T65SQDN
PNEDA Part # AFGB30T65SQDN
Descrizione 650V/30A FS4 IGBT TO263 A
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.492
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AFGB30T65SQDN Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAFGB30T65SQDN
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
AFGB30T65SQDN, AFGB30T65SQDN Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 229,53 KB)
PDFAFGB30T65SQDN Datasheet Copertura
AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 2 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 3 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 4 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 5 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 6 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 7 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 8 AFGB30T65SQDN Datasheet Pagina 9

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AFGB30T65SQDN Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Potenza - Max220W
Switching Energy-
Tipo di ingresso-
Gate Charge56nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C14.5ns/63.2ns
Condizione di test400V, 30A, 6Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)245ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD²PAK-3 (TO-263-3)

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APT80GA60LD40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

143A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

840µJ (on), 751µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

230nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/158ns

Condizione di test

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

43A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Potenza - Max

147W

Switching Energy

2.5mJ (on), 3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

76nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

70ns/250ns

Condizione di test

600V, 25A, 39Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

9-SMD Module

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-SMPD™.B

FGH50T65UPD

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Potenza - Max

340W

Switching Energy

2.7mJ (on), 740µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

230nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/160ns

Condizione di test

400V, 50A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

53ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

400µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/130ns

Condizione di test

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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