A2T18S261W12NR3
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| Numero parte | A2T18S261W12NR3 |
| PNEDA Part # | A2T18S261W12NR3 |
| Descrizione | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.842 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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A2T18S261W12NR3 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | A2T18S261W12NR3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - RF |
| Datasheet |
A2T18S261W12NR3, A2T18S261W12NR3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 228,06 KB)
  
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A2T18S261W12NR3 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | LDMOS |
| Frequenza | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Guadagno | 18.2dB |
| Tensione - Test | 28V |
| Corrente nominale (Amp) | 10µA |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 1.5A |
| Potenza - Uscita | 280W |
| Tensione - Nominale | 65V |
| Pacchetto / Custodia | OM-880X-2L2L |
| Pacchetto dispositivo fornitore | OM-880X-2L2L |
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