7164S100DB
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| Numero parte | 7164S100DB | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 7164S100DB | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP | ||||||||||||||||||
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 824 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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7164S100DB Risorse
| Brand | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 7164S100DB |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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7164S100DB Specifiche
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 100ns |
| Tempo di accesso | 100ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
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Produttore Toshiba Memory America, Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND (SLC) Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 67-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 67-VFBGA (6.5x8) |
