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64051

64051

Solo per riferimento

Numero parte 64051
PNEDA Part # 64051
Descrizione RF POWER TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.574
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

64051 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte64051
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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64051 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

500W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

29A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

355J-02

Pacchetto dispositivo fornitore

355J-02, STYLE 1

2SC4215-Y(TE85L,F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

550MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

17dB ~ 23dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

MSC2295-BT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

150MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-59

MDS70

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.3dB ~ 11.65dB

Potenza - Max

225W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55CX

Pacchetto dispositivo fornitore

55CX

2SC4093-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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