Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

5LP01SP-AC

5LP01SP-AC

Solo per riferimento

Numero parte 5LP01SP-AC
PNEDA Part # 5LP01SP-AC
Descrizione MOSFET P-CH 50V .07A
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.454
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

5LP01SP-AC Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte5LP01SP-AC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
5LP01SP-AC, 5LP01SP-AC Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 228,39 KB)
PDF5LP01SP-AC Datasheet Copertura
5LP01SP-AC Datasheet Pagina 2 5LP01SP-AC Datasheet Pagina 3 5LP01SP-AC Datasheet Pagina 4 5LP01SP-AC Datasheet Pagina 5 5LP01SP-AC Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • 5LP01SP-AC Datasheet
  • where to find 5LP01SP-AC
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor 5LP01SP-AC
  • 5LP01SP-AC PDF Datasheet
  • 5LP01SP-AC Stock

  • 5LP01SP-AC Pinout
  • Datasheet 5LP01SP-AC
  • 5LP01SP-AC Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • 5LP01SP-AC Price
  • 5LP01SP-AC Distributor

5LP01SP-AC Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C70mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 10V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7.4pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)250mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitore3-SPA
Pacchetto / CustodiaSC-72

I prodotti a cui potresti essere interessato

STL92N10F7AG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5Ohm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

APT5010B2LLG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4360pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

FQPF10N60CT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

730mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

BSO080P03SNTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 14.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

136nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5890pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.79W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-8

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4682pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

178W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

HCPL-060L-000E

HCPL-060L-000E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO

4N32SM

4N32SM

ON Semiconductor

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

SMCJ36A

SMCJ36A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 36V 58.1V SMC

H1102NL

H1102NL

Pulse Electronics Network

MODULE XFRMR SGL ETHR LAN 16SOIC

LTC6995IS6-1#TRMPBF

LTC6995IS6-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OSC SILICON PROG TSOT23-6

NTR4171PT1G

NTR4171PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23

MAX9814ETD+T

MAX9814ETD+T

Maxim Integrated

IC AMP AUDIO MONO AB MIC 14TDFN

XC7K70T-2FBG484I

XC7K70T-2FBG484I

Xilinx

IC FPGA 285 I/O 484FCBGA

PEX8603-AB50NI G

PEX8603-AB50NI G

Broadcom

IC PCI EXPRESS SWITCH 136AQFN

UPD78F0455GB-GAH-AX

UPD78F0455GB-GAH-AX

Renesas Electronics America

IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64TQFP

PIC16F1705-I/P

PIC16F1705-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 14DIP

7508110151

7508110151

Wurth Electronics Midcom

WE-UNIT OFFLINE TRANSFORMER