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4N35VM

4N35VM

Solo per riferimento

Numero parte 4N35VM
PNEDA Part # 4N35VM
Descrizione OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.072
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

4N35VM Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte4N35VM
CategoriaSemiconduttoriIsolatoriOptoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica
Datasheet
4N35VM, 4N35VM Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 398,34 KB)
PDFH11A4VM Datasheet Copertura
H11A4VM Datasheet Pagina 2 H11A4VM Datasheet Pagina 3 H11A4VM Datasheet Pagina 4 H11A4VM Datasheet Pagina 5 H11A4VM Datasheet Pagina 6 H11A4VM Datasheet Pagina 7 H11A4VM Datasheet Pagina 8 H11A4VM Datasheet Pagina 9 H11A4VM Datasheet Pagina 10 H11A4VM Datasheet Pagina 11

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4N35VM Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Numero di canali1
Tensione - Isolamento4170Vrms
Rapporto di trasferimento corrente (min)100% @ 10mA
Rapporto di trasferimento corrente (massimo)-
Tempo di accensione / spegnimento (tipico)2µs, 2µs
Tempo di salita / discesa (tipico)-
Tipo di ingressoDC
Tipo di outputTransistor with Base
Tensione - Uscita (Max)30V
Corrente - Uscita / Canale-
Tensione - Avanti (Vf) (Tip)1.18V
Corrente - DC diretta (If) (Max)60mA
Saturazione Vce (Max)300mV
Temperatura di esercizio-40°C ~ 100°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia6-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore6-DIP

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Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

3750Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

19% @ 16mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

60% @ 16mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

500ns, 800ns

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

20V

Corrente - Uscita / Canale

8mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.59V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

25mA

Saturazione Vce (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SMD

6N139#520

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

5000Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

500% @ 1.6mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

2600% @ 1.6mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

200ns, 2µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Darlington with Base

Tensione - Uscita (Max)

18V

Corrente - Uscita / Canale

60mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.4V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

20mA

Saturazione Vce (Max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SMD

TLP293-4(4LGBTRE

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Numero di canali

4

Tensione - Isolamento

3750Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

100% @ 500µA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

600% @ 500µA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

3µs, 3µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

2µs, 3µs

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

80V

Corrente - Uscita / Canale

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.25V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

50mA

Saturazione Vce (Max)

300mV

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO

TLP626(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

5000Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

100% @ 1mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

1200% @ 1mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

10µs, 8µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

8µs, 8µs

Tipo di ingresso

AC, DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

55V

Corrente - Uscita / Canale

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.15V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

60mA

Saturazione Vce (Max)

400mV

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DIP

H11A1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

5300Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

50% @ 10mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

-

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

2µs, 2µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor with Base

Tensione - Uscita (Max)

30V

Corrente - Uscita / Canale

-

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.18V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

100mA

Saturazione Vce (Max)

400mV

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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