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409DMQ135

409DMQ135

Solo per riferimento

Numero parte 409DMQ135
PNEDA Part # 409DMQ135_AD
Descrizione DIODE MODULE 135V 400A TO244AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.058
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

409DMQ135 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte409DMQ135
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
409DMQ135, 409DMQ135 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 68,55 KB)
PDF409DMQ135 Datasheet Copertura
409DMQ135 Datasheet Pagina 2 409DMQ135 Datasheet Pagina 3 409DMQ135 Datasheet Pagina 4 409DMQ135 Datasheet Pagina 5

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409DMQ135 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Series Connection
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)135V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)400A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.21V @ 400A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr6mA @ 135V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaTO-244AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-244AB

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Produttore

Infineon Technologies

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

120ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20nA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 18A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

6µA @ 1000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SBT350-06J

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

400A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 125A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Chassis Mount

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15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

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Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

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