2SK3868(Q,M)
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Numero parte | 2SK3868(Q,M) |
PNEDA Part # | 2SK3868-Q-M |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.456 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SK3868(Q Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | 2SK3868(Q,M) |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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2SK3868(Q Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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