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2SK3546G0L

2SK3546G0L

Solo per riferimento

Numero parte 2SK3546G0L
PNEDA Part # 2SK3546G0L
Descrizione MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.424
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK3546G0L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK3546G0L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SK3546G0L, 2SK3546G0L Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 225,54 KB)
PDF2SK3546G0L Datasheet Copertura
2SK3546G0L Datasheet Pagina 2 2SK3546G0L Datasheet Pagina 3 2SK3546G0L Datasheet Pagina 4

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  • 2SK3546G0L Distributor

2SK3546G0L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±7V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12pF @ 3V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)125mW (Ta)
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSMini3-F2
Pacchetto / CustodiaSC-89, SOT-490

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

830mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.15Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micro Commercial Co

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

187W (Tc)

Temperatura di esercizio

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