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2SK2731T146

2SK2731T146

Solo per riferimento

Numero parte 2SK2731T146
PNEDA Part # 2SK2731T146
Descrizione MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.066
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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2SK2731T146 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK2731T146
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
2SK2731T146, 2SK2731T146 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 122,5 KB)
PDF2SK2731T146 Datasheet Copertura
2SK2731T146 Datasheet Pagina 2 2SK2731T146 Datasheet Pagina 3 2SK2731T146 Datasheet Pagina 4 2SK2731T146 Datasheet Pagina 5

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2SK2731T146 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)200mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSMT3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 50mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

92pF @ 3V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-59

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDMS8333L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 76A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4545pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

NTMFS4C08NT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 52A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1113pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

760mW (Ta), 25.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

STU2N80K5

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

105pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Vgs (massimo)

+20V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8155pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

395W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto / Custodia

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