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2SK2394-7-TB-E

2SK2394-7-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SK2394-7-TB-E
PNEDA Part # 2SK2394-7-TB-E
Descrizione JFET N-CH 50MA 200MW CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $3,3527
250 ---------- $3,1955
500 ---------- $3,0384
1.000 ---------- $2,8812
2.500 ---------- $2,7503
5.000 ---------- $2,6193
Disponibile 8.507
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK2394-7-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK2394-7-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SK2394-7-TB-E, 2SK2394-7-TB-E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 288,93 KB)
PDF2SK2394-7-TB-E Datasheet Copertura
2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 2 2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 3 2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 4 2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 5 2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 6

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2SK2394-7-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)15V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)16mA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max50mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id300mV @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10pF @ 5V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max200mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

85 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

200mV @ 100nA

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-

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