2SK2009TE85LF
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| Numero parte | 2SK2009TE85LF |
| PNEDA Part # | 2SK2009TE85LF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.426 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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2SK2009TE85LF Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SK2009TE85LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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2SK2009TE85LF Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50MA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 3V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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