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2SD1277AP

2SD1277AP

Solo per riferimento

Numero parte 2SD1277AP
PNEDA Part # 2SD1277AP
Descrizione TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220F
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.726
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SD1277AP Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SD1277AP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SD1277AP, 2SD1277AP Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 240,22 KB)
PDF2SD12770P Datasheet Copertura
2SD12770P Datasheet Pagina 2 2SD12770P Datasheet Pagina 3

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2SD1277AP Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 8mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce4000 @ 4A, 3V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione20MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220F-A1

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

230mV @ 300mA, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

Potenza - Max

2.1W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89-3

KSP8599CTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

JAN2N2906A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/291

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

ZTX949STZ

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

320mV @ 300mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

Potenza - Max

1.58W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

E-Line-3, Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

ZUMT618TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.25A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 50mA, 1.25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

385mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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