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2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5551AE-TD-E
PNEDA Part # 2SC5551AE-TD-E
Descrizione RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.896
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5551AE-TD-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5551AE-TD-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC5551AE-TD-E, 2SC5551AE-TD-E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 293,9 KB)
PDF2SC5551AE-TD-E Datasheet Copertura
2SC5551AE-TD-E Datasheet Pagina 2 2SC5551AE-TD-E Datasheet Pagina 3 2SC5551AE-TD-E Datasheet Pagina 4 2SC5551AE-TD-E Datasheet Pagina 5 2SC5551AE-TD-E Datasheet Pagina 6

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2SC5551AE-TD-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Frequenza - Transizione3.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max1.3W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitorePCP

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Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.5V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

BFU520YF

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Guadagno

14dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

2003

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB

Potenza - Max

12W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT-1

15GN01MA-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

1.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

3-MCP

BFP740FESDH6327XTSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

47GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

9dB ~ 31dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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