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2SC5347AE-TD-E

2SC5347AE-TD-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5347AE-TD-E
PNEDA Part # 2SC5347AE-TD-E
Descrizione RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.268
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5347AE-TD-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5347AE-TD-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC5347AE-TD-E, 2SC5347AE-TD-E Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 311,93 KB)
PDF2SC5347AF-TD-E Datasheet Copertura
2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 2 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 3 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 4 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 5 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 6 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 7 2SC5347AF-TD-E Datasheet Pagina 8

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2SC5347AE-TD-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione4.7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.8dB @ 1GHz
Guadagno8dB
Potenza - Max1.3W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitorePCP

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

11dB

Potenza - Max

180mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BF776H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

46GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

BFR720L3RHE6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

45GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

80mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 13mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSLP-3

KSP10BU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFP620H7764XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

65GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

21.5dB

Potenza - Max

185mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

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