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2SC5227A-4-TB-E

2SC5227A-4-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5227A-4-TB-E
PNEDA Part # 2SC5227A-4-TB-E
Descrizione RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.834
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 27 - lug 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5227A-4-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5227A-4-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
2SC5227A-4-TB-E, 2SC5227A-4-TB-E Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 340,25 KB)
PDF2SC5227A-5-TB-E Datasheet Copertura
2SC5227A-5-TB-E Datasheet Pagina 2 2SC5227A-5-TB-E Datasheet Pagina 3 2SC5227A-5-TB-E Datasheet Pagina 4 2SC5227A-5-TB-E Datasheet Pagina 5 2SC5227A-5-TB-E Datasheet Pagina 6 2SC5227A-5-TB-E Datasheet Pagina 7 2SC5227A-5-TB-E Datasheet Pagina 8

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2SC5227A-4-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB @ 1GHz
Guadagno12dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 20mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP

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CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

-

60189

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFS483H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

19dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

BFR92WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

11.5dB ~ 17dB

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

MS1019

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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