2SB315A-2MBI1200U4G-170
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| Numero parte | 2SB315A-2MBI1200U4G-170 |
| PNEDA Part # | 2SB315A-2MBI1200U4G-170 |
| Descrizione | MOD GATE DVR 2MBI1200U4G-170 |
| Produttore | Power Integrations |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.562 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SB315A-2MBI1200U4G-170 Risorse
| Brand | Power Integrations |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SB315A-2MBI1200U4G-170 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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2SB315A-2MBI1200U4G-170 Specifiche
| Produttore | Power Integrations |
| Serie | SCALE™-1 |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 0V ~ 16V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Power Integrations Serie SCALE™-2 Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT Tensione - Alimentazione 14.5V ~ 15.5V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 20A, 20A Tipo di ingresso - High Side Voltage - Max (Bootstrap) 1200V Tempo di salita / discesa (tipico) 7ns, 25ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10.8V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 15V Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 20ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 17V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 120V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 7ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 140°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSON (4x4) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 1.2V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2.5A, 2.5A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 25ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4.5A, 4.5A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 12ns, 12ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
