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2SB1189T100Q

2SB1189T100Q

Solo per riferimento

Numero parte 2SB1189T100Q
PNEDA Part # 2SB1189T100Q
Descrizione TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89
Produttore Rohm Semiconductor
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Disponibile 3.330
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2SB1189T100Q Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SB1189T100Q
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SB1189T100Q, 2SB1189T100Q Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 135,09 KB)
PDF2SB1238TV2R Datasheet Copertura
2SB1238TV2R Datasheet Pagina 2 2SB1238TV2R Datasheet Pagina 3

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2SB1189T100Q Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)700mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 3V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreMPT3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.1V @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 4A, 2V

Potenza - Max

90W

Frequenza - Transizione

1.5MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

DZT491-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

BC212B_D27Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1μA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

20µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

Potenza - Max

1.75W

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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