2SA1162S-GR,LF(D
Solo per riferimento
| Numero parte | 2SA1162S-GR,LF(D |
| PNEDA Part # | 2SA1162S-GR-LF-D |
| Descrizione | TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.588 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
2SA1162S-GR Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 2SA1162S-GR,LF(D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- 2SA1162S-GR,LF(D Datasheet
- where to find 2SA1162S-GR,LF(D
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-GR,LF(D
- 2SA1162S-GR,LF(D PDF Datasheet
- 2SA1162S-GR,LF(D Stock
- 2SA1162S-GR,LF(D Pinout
- Datasheet 2SA1162S-GR,LF(D
- 2SA1162S-GR,LF(D Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- 2SA1162S-GR,LF(D Price
- 2SA1162S-GR,LF(D Distributor
2SA1162S-GR Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V |
| Potenza - Max | 150mW |
| Frequenza - Transizione | 80MHz |
| Temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1.5A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 1A, 2V Potenza - Max 1.4W Frequenza - Transizione 50MHz Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore SOT-89-3 |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 15A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 450V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 5V @ 2.4A, 12A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V Potenza - Max 125W Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 500V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Potenza - Max 4W Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-5 |
Produttore MICROSS/On Semiconductor Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Potenza - Max - Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 50nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 400 @ 1mA, 6V Potenza - Max 500mW Frequenza - Transizione 110MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
