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2SA1013-O,T6MIBF(J

2SA1013-O,T6MIBF(J

Solo per riferimento

Numero parte 2SA1013-O,T6MIBF(J
PNEDA Part # 2SA1013-O-T6MIBF-J
Descrizione TRANS PNP 1A 160V TO226-3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.680
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SA1013-O Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SA1013-O,T6MIBF(J
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2SA1013-O, 2SA1013-O Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 178,57 KB)
PDF2SA1013-O Datasheet Copertura
2SA1013-O Datasheet Pagina 2 2SA1013-O Datasheet Pagina 3 2SA1013-O Datasheet Pagina 4 2SA1013-O Datasheet Pagina 5

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2SA1013-O Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)160V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 200mA, 5V
Potenza - Max900mW
Frequenza - Transizione50MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92L

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

70MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

MT-2-A1

JANTX2N5003

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/535

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

TO-210AA, TO-59-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-59

STBV45G-AP

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

750mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 135mA, 400mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 400mA, 5V

Potenza - Max

950mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92AP

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

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-

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