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2N7002-HF

2N7002-HF

Solo per riferimento

Numero parte 2N7002-HF
PNEDA Part # 2N7002-HF
Descrizione MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
Produttore Comchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.842
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N7002-HF Risorse

Brand Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N7002-HF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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2N7002-HF Specifiche

ProduttoreComchip Technology
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 10V
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)350mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

AUIRF2804S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRLR7843TRRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

161A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4380pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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Vgs (th) (Max) @ Id

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-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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