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2N6677

2N6677

Solo per riferimento

Numero parte 2N6677
PNEDA Part # 2N6677
Descrizione PNP TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.866
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N6677 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N6677
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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2N6677 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie*
Tipo di transistor-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

TIP41B

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

700µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 4V

Potenza - Max

65W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

KSC815YTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 15mA, 150mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 1V

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BC337,116

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SA965-Y(F,M)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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