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2N6427RLRA

2N6427RLRA

Solo per riferimento

Numero parte 2N6427RLRA
PNEDA Part # 2N6427RLRA
Descrizione TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 4.464
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2N6427RLRA Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N6427RLRA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2N6427RLRA, 2N6427RLRA Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 113,43 KB)
PDF2N6427RLRA Datasheet Copertura
2N6427RLRA Datasheet Pagina 2 2N6427RLRA Datasheet Pagina 3 2N6427RLRA Datasheet Pagina 4 2N6427RLRA Datasheet Pagina 5 2N6427RLRA Datasheet Pagina 6

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2N6427RLRA Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500µA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1μA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Serie

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 200mA, 2V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

2N5551RLRPG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MPSW55

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 250mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 250mA, 1V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92 (TO-226)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

5V @ 15mA, 150mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

70MHz

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 2V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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