2N5638
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| Numero parte | 2N5638 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 2N5638 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 30V 0.35W TO92 | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 588 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 1 - lug 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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2N5638 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 2N5638 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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2N5638 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 50mA @ 20V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 12V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 30 Ohms |
| Potenza - Max | 350mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/375 Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 50V Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-72 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 50V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 300mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AA (TO-18) |
