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2N5114JTVL02

2N5114JTVL02

Solo per riferimento

Numero parte 2N5114JTVL02
PNEDA Part # 2N5114JTVL02
Descrizione JFET P-CH 30V TO-206AA
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.338
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N5114JTVL02 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5114JTVL02
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET

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2N5114JTVL02 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FET-
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-206AA (TO-18)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

MV2N4393

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MMBF4091

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MMBF4391LT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.3V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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