2N4856JTX02
Solo per riferimento
| Numero parte | 2N4856JTX02 |
| PNEDA Part # | 2N4856JTX02 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.380 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
2N4856JTX02 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 2N4856JTX02 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- 2N4856JTX02 Datasheet
- where to find 2N4856JTX02
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix 2N4856JTX02
- 2N4856JTX02 PDF Datasheet
- 2N4856JTX02 Stock
- 2N4856JTX02 Pinout
- Datasheet 2N4856JTX02
- 2N4856JTX02 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- 2N4856JTX02 Price
- 2N4856JTX02 Distributor
2N4856JTX02 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-206AA (TO-18) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 15V Tensione Drain to Source (Vdss) 15V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 32mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 700mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SC-59-3/CP3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 3V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 0V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AC (TO-52) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
