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2N4119A

2N4119A

Solo per riferimento

Numero parte 2N4119A
PNEDA Part # 2N4119A
Descrizione MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario
1 ---------- $69,5928
50 ---------- $66,3307
100 ---------- $63,0685
200 ---------- $59,8063
400 ---------- $57,0879
500 ---------- $54,3694
Disponibile 2.377
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N4119A Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N4119A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2N4119A, 2N4119A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 68,78 KB)
PDFSST4119-T1-E3 Datasheet Copertura
SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SST4119-T1-E3 Datasheet Pagina 6

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  • 2N4119A Distributor

2N4119A Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)200µA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-206AF (TO-72)

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ON Semiconductor

Serie

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

250 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

125 Ohms

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23 (TO-236AB)

2N4118A-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AF (TO-72)

U441-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-71-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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