2N4118A
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| Numero parte | 2N4118A | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 2N4118A | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 19.584 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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2N4118A Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 2N4118A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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2N4118A Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 80µA @ 10V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 1V @ 1nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 300mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-206AF (TO-72) |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 100 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 500mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4.1pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SC-72 Pacchetto dispositivo fornitore 3-SPA |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AA (TO-18) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 20V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 600mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 150mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
