2N2102S
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| Numero parte | 2N2102S |
| PNEDA Part # | 2N2102S |
| Descrizione | NPN TRANSISTOR |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.552 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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2N2102S Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N2102S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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2N2102S Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Potenza - Max | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A Corrente - Taglio collettore (Max) 50µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V Potenza - Max 1.56W Frequenza - Transizione 3MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max) 8A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 80mA, 8A Corrente - Taglio collettore (Max) 50µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 3A, 4V Potenza - Max 2W Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 50nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Potenza - Max 250mW Frequenza - Transizione 150MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
