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2DB1119S-13

2DB1119S-13

Solo per riferimento

Numero parte 2DB1119S-13
PNEDA Part # 2DB1119S-13
Descrizione TRANS PNP 25V 1A SOT89-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.226
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2DB1119S-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2DB1119S-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2DB1119S-13, 2DB1119S-13 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 194,72 KB)
PDF2DB1119S-13 Datasheet Copertura
2DB1119S-13 Datasheet Pagina 2 2DB1119S-13 Datasheet Pagina 3 2DB1119S-13 Datasheet Pagina 4

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2DB1119S-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 50mA, 2V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione200MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89-3

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

KSB564AGBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

110MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

TIP110

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

25MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

KSD1020YBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 70mA, 700mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

170MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

2SC1627A-Y,PASF(M

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 2V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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