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25AA160A-I/S15K

25AA160A-I/S15K

Solo per riferimento

Numero parte 25AA160A-I/S15K
PNEDA Part # 25AA160A-I-S15K
Descrizione IC EEPROM 16K SPI 10MHZ WAFER
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.316
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

25AA160A-I/S15K Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte25AA160A-I/S15K
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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25AA160A-I/S15K Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Maxim Integrated

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Non-Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150ns

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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