24AA16T-I/MNY
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| Numero parte | 24AA16T-I/MNY |
| PNEDA Part # | 24AA16T-I-MNY |
| Descrizione | IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8TDFN |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 0 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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24AA16T-I/MNY Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 24AA16T-I/MNY |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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24AA16T-I/MNY Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 400kHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | 900ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FRAM Tecnologia FRAM (Ferroelectric RAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 40MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 4.2ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOIC |
