1SV279,H3F
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| Numero parte | 1SV279,H3F | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 1SV279-H3F | ||||||||||||||||||
| Descrizione | PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR= | ||||||||||||||||||
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 65.185 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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1SV279 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1SV279,H3F |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi Varactor |
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1SV279 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Capacità @ Vr, F | 6.5pF @ 10V, 1MHz |
| Rapporto di capacità | 2.5 |
| Condizione rapporto di capacità | C2/C10 |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 15V |
| Tipo di diodo | Single |
| Q @ Vr, F | - |
| Temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-79, SOD-523 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ESC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Capacità @ Vr, F 3.7pF @ 4V, 1MHz Rapporto di capacità 2.2 Condizione rapporto di capacità C1/C4 Tensione - Picco inverso (Max) 7V Tipo di diodo 1 Pair Common Cathode Q @ Vr, F - Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
