1SS403,H3F
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| Numero parte | 1SS403,H3F |
| PNEDA Part # | 1SS403-H3F |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 100MA USC |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 21.702 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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1SS403 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1SS403,H3F |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1SS403 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 100mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-76, SOD-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | USC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 125°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 50V Capacità @ Vr, F 2.5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
