1SS360,LJ(CT
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| Numero parte | 1SS360,LJ(CT |
| PNEDA Part # | 1SS360-LJ-CT |
| Descrizione | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.192 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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1SS360 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1SS360,LJ(CT |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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1SS360 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | * |
| Configurazione diodi | - |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.95V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3PF Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PF |
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