1N6641US
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| Numero parte | 1N6641US |
| PNEDA Part # | 1N6641US |
| Descrizione | DIODE GEN PURPOSE |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.794 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N6641US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N6641US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N6641US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 175V Capacità @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
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