1N6075US
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| Numero parte | 1N6075US |
| PNEDA Part # | 1N6075US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 3A D5A |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.050 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N6075US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N6075US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N6075US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.04V @ 9.4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 200mA Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 75V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0402 (1006 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore X1-DFN1006-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
