1N5822US
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| Numero parte | 1N5822US | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 1N5822US | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.027 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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1N5822US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5822US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5822US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 40V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 40V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
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